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公司進入第三代半導體電子功率器件領域

2015-12-14

2015 年 12 月14日,公司與江蘇能華微電子科技發展有限公司簽訂了《MOCVD及其輔助設備采購合同》,標誌著公司自主研發和產業化的MOCVD設備繼進入LED照明、紫外LED市場後,再次成功進入第三代半導體電子功率器件領域,將對公司的年度營收、市場布局及品牌影響力產生重要影響。

    第三代半導體是以氮化镓(GaN)、氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)等III-V族及SiC為基礎的化合物半導體材料,以其高溫下的穩定性、高效的光電轉化能力、更低的能量損耗等絕對優勢,高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力,更適合於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,可廣泛應用於照明、顯示、通訊等各個領域。