技術服務

客戶定製工程設計

定製設計各種CVD整機設備、氣路設計、氣體櫃設計與定製、氣體管道加熱係統、加熱器、原位監測係統、安全互鎖係統、數據控製與傳輸係統、智能安全的直流電源係統、真空係統、尾氣係統、機械加工、及其它功能單元或零部件。

對現有MOCVD設備進行個性化升級和技術改造。

為各種MOCVD設備提供專業的維修、維修工具、和移機服務。

為各種MOCVD設備提供高品質更快捷的備件服務。

外延相關設備的其他技術與谘詢服務。

光學測量係統

AG8亚游集团光學測量係統配置有高采樣率高精度的測量儀器,包括紅外測溫儀、熱電偶、LED反射計和激光翹曲計,采用非接觸式測量方法,主要用於反應腔內部的溫度監測與加熱控製、反射率監測、生長應力和翹曲率監測,可對每個單片wafer進行相對定位或絕對定位和實時監測,提供每個單片wafer外延生長時的溫度、反射率和翹曲信息的準確實時分析,幫助有效實施外延生長工藝流程。

溫度測量采用創新的寬帶測溫法,無需配置繁瑣的實時輻射率修正,有效實現溫度測量與控製的準確性、重複性和穩定性(uGaN|nGaN階段膜厚變化造成的溫度振蕩被抑製得非常小,僅在1C左右)。反射率測量采用LED光源,對各種規格的襯底(平片、DPSS和WPSS等)均能清晰準確地測量出薄膜生長時的振蕩曲線,並能計算生長速率和膜厚。溫度和反射率測量已通過光路設計巧妙集成於同一個測量單元,可共用同一個測量窗口。

溫度測量範圍:20℃–1500℃;測量精度:±0.1℃ ~ ±1℃;重複性:±0.1℃.

反射率噪聲水平:±0.5%,生長速率計算精度:±1%

翹曲測量範圍:±300km-1,測量精度:±5km-1.

托盤轉速適用範圍:300rpm-1200rpm.